®
德昌
电气特性
(
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
齐纳电压
（注3 ）
设备
（注2 ）
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
设备
记号
民
1N957B
1N958B
1N959B
1N960B
1N961B
1N962B
1N963B
1N964B
1N965B
1N966B
1N967B
1N968B
1N969B
1N970B
1N971B
1N972B
1N973B
1N974B
1N975B
1N976B
1N977B
1N978B
1N979B
1N980B
1N981B
1N982B
1N983B
1N984B
1N985B
1N986B
1N987B
1N988B
1N989B
1N990B
1N991B
1N992B
6.460
7.125
7.790
8.645
9.500
10.45
11.40
12.35
14.25
15.20
17.10
19.00
20.90
22.80
25.65
28.50
31.35
34.20
37.05
40.85
44.65
48.45
53.20
58.90
64.60
71.25
77.90
86.45
95.00
104.5
114.0
123.5
142.5
152.0
171.0
190.0
V
Z
（伏）
喃
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
最大
7.140
8.875
8.610
9.555
10.500
11.55
12.60
13.65
15.75
16.8
18.90
21.00
23.10
25.20
28.35
31.50
34.65
37.80
40.95
45.15
49.35
53.55
58.80
65.10
71.40
78.75
85.10
95.55
105.0
115.5
126.0
136.5
157.5
168.5
189.5
210.0
@I
ZT
（MA ）
18.5
16.5
15
14
12.5
11.5
10.5
9.5
8.5
7.8
7
6.2
5.6
5.2
4.6
4.2
3.8
3.4
3.2
3.0
2.7
2.5
2.2
2.0
1.8
1.7
1.5
1.4
1.3
1.1
1
0.95
0.85
0.80
0.68
0.65
行货
安森美半导体
,
的商标。
半导体
元件工业， LLC的
齐纳科技
和
制品
.
齐纳阻抗
（注4 ）
Z
ZT
@I
ZT
(Ω)
4.5
5.5
6.5
7.5
8.5
9.5
11.5
13
16
17
21
25
29
33
41
49
58
70
80
93
105
125
150
185
230
270
330
400
500
750
900
1100
1500
1700
2200
2500
Z
ZK
@I
ZK
(Ω)
700
700
700
700
700
700
700
700
700
700
750
750
750
750
750
1000
1000
1000
1000
1500
1500
1500
2000
2000
2000
2000
3000
3000
3000
4000
4500
5000
6000
6500
7100
8000
（MA ）
1
0.5
0.5
0.5
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
0.25
漏电流
IR @VR = 1V
（ UA）
150
75
50
25
10
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
（伏）
5.2
5.7
6.2
6.9
7.6
8.4
9.1
9.9
11.4
12.2
13.7
15.2
16.7
18.2
20.6
22.8
25.1
27.4
29.7
32.7
35.8
38.8
42.6
47.1
51.7
56.0
62.2
69.2
76.0
83.6
91.2
98.8
114.0
121.6
136.8
152.0
I
ZM
（注5 ）
（MA ）
47
42
38
35
32
28
26
24
21
19
17
15
14
13
11
10
9.2
8.5
7.8
7
6.4
5.9
5.4
4.9
4.5
4.1
3.7
3.3
3.0
2.7
2.5
2.3
2.0
1.9
1.7
1.5
VF正向电压= 1.5V最大@ I
F
= 200毫安所有类型
2.公差和电压DESIGNATION
列出的类型的数字对的标称齐纳电压的标准公差
±5%.
3.齐纳电压（V
Z
）测量
齐纳电压（V
Z
）是脉冲条件下进行测试。测得的
V
Z
被保证是在规定范围内用设备
结在热平衡。
4.齐纳阻抗（Z
Z
）推导
Z
ZT
和Z
ZK
通过分割所施加的交流电流加在器件上的交流电压降进行测量。规定限值
对于我
Z（ AC）
= 0.1 I
Z（ DC ）
交流频率= 60Hz的。
5.最大齐纳电流额定值（我
ZM
)
示值是基于400毫瓦的JEDEC等级在实际的齐纳电压（V
Z
）是已知的，在该操作点，所述
齐纳电流可以增大，并且由衰减曲线限定。
2006年11月/ C
第2页
TAK_CHEONG [ Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd ]
