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    MMBT2222A 参数 Datasheet PDF下载

    MMBT2222A图片预览
    型号： MMBT2222A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： SMD通用晶体管（ NPN ） [SMD General Purpose Transistor (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管IOT
    文件页数/大小： 3 页 / 225 K
    品牌： TAITRON [ TAITRON COMPONENTS INCORPORATED ]
     浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MMBT2222A的Datasheet PDF文件第3页  
    SMD通用晶体管（ NPN ）
    MMBT2222A
    电气特性
    (T
    环境
    = 25°C除非另有说明）
    符号
    描述
    分钟。
    35
    50
    75
    马克斯。
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    0.3
    1.0
    1.2
    2.0
    10
    10
    V
    V
    V
    V
    单位
    条件
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =0.1mA
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =1mA
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =10mA
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =10mA
    T
    A = -55°C
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =150mA
    *
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =500mA
    *
    V
    CE
    =1.0V,
    I
    C
    =150mA
    *
    I
    C
    =10µA,
    I
    E
    =0
    I
    C
    =10mA,
    I
    B
    =0
    I
    E
    =10µA,
    I
    C
    =0
    I
    C
    =150mA,
    I
    B
    =15mA
    I
    C
    =500mA,
    I
    B
    =50mA
    I
    C
    =150mA,
    I
    B
    =15mA
    I
    C
    =500mA,
    I
    B
    =50mA
    V
    EB
    =3V,
    V
    CE
    =60V
    V
    CB ？
    60V,
    I
    E
    =0
    V
    CB
    =60V,
    I
    E
    =0,
    T
    A = 125°C
    V
    EB
    =3V,
    V
    CE
    =60V
    V
    EB
    =3V,
    I
    C
    =0
    V
    CE
    =20V,
    I
    C
    =20mA,
    f
    =100MHz
    V
    CB
    =10V,
    f
    =1.0MHz,
    I
    E
    =0
    V
    EB
    =0.5V,
    f
    =1.0MHz,
    I
    C
    =0
    V
    CE
    =10V,
    I
    C
    =100µA,
    R
    s=1kΩ,
    f
    =1kHz
    V
    CB
    =20V,
    I
    C
    =20mA,
    f
    = 31.8兆赫
    I
    B1
    =15mA
    I
    C
    =150mA
    V
    CC
    =30V
    V
    EB
    =0.5V
    I
    B1
    =
    I
    B2=
    15mA
    I
    C
    =150mA
    V
    CC
    =30V
    h
    FE
    直流电流增益
    35
    100
    40
    50
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CEX
    I
    CBO
    I
    BL
    I
    EBO
    f
    T
    C
    敖包
    C
    IBO
    NF
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    *
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极饱和电压
    *
    基射极饱和电压
    *
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    底座截止电流
    发射极截止电流
    电流增益带宽积
    输出电容
    输入电容
    噪声系数
    集电极基时间常数
    延迟时间
    上升时间
    贮存时间
    下降时间
    75
    40
    6.0
    -
    -
    0.6
    -
    -
    -
    -
    -
    300
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    V
    nA
    nA
    µA
    nA
    nA
    兆赫
    pF
    pF
    dB
    ps
    10
    20
    10
    -
    8.0
    25
    4.0
    150
    10
    25
    225
    60
    rb'Cc
    t
    d
    t
    r
    t
    s
    t
    f
    ns
    *脉冲测试脉冲宽度
    ≤
    300μS ，占空比
    ≤2.0%
    版本A / AH 2007-11-13
    www.taitroncomponents.com
    分页： 1 2 3

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