BC856系列
热特性
参数
热阻，结到环境
符号
R
θJA
价值
556
单位
O
C / W
注1 ：晶体管安装在FR- 5板1.0× 0.75× 0.062的最小焊盘布局。
EL ECTRICAL特性（T
J
= 25℃，除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
CE0
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= -10μA ，我
E
=0)
BC856A,B
BC857A ， B，C V
（ BR ）
CB0
BC858A ， B，C ， BC859B ，C
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= -1μA ，我
C
=0)
V
（ BR ）
EB0
I
EBO
符号
分钟。
-65
-45
-30
-80
-50
-30
-5.0
-
-
T
J
=150
O
C
直流电流增益
(I
C
= -10μA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
h
FE
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5V)
BC856A ， BC857A ， BC858A
BC856B ， BC857B ， BC858B ， BC859B
BC857C ， BC858C ， BC859C
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
CE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ，我
B
=-0.5mA)
V
BE （ SAT ）
(I
C
= -100mA ，我
B
=-5.0mA)
基地 - 发射极电压上
(I
C
= -2.0mA ，V
CE
=-5.0V)
V
BE（上）
(I
C
= -10mA ，V
CE
=-5.0V)
集电极 - 基极电容
电流增益 - 带宽积
F
T
(I
C
= -10mA ，V
CE
= -5.0V ， F = 100MHz时）
STAD-JUL.11.2005
PAGE 。 2
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
90
150
270
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-100
-15
-4.0
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
uA
发射基截止电流（V
EB
=-5V)
集电极 - 基极截止电流（V
CB
= -30V ，我
E
=0)
I
CBO
-
-
-
-
-
110
200
420
-
-
-
-
-0.60
-
180
290
520
-
-
-0.7
-0.9
-
-
-
220
450
800
-0.3
V
-0.65
-
V
-
-0.75
V
-0.82
4.5
pF
(V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的）
C
CB
-
-
200
-
兆赫
TAITRON [ TAITRON COMPONENTS INCORPORATED ]
