NPN小信号通用晶体管
2N5089
电气特性
(T
环境
= 25°C除非另有说明）
符号
V
(
BR ） CEO
V
(
BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
描述
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
民
25
30
--
--
400
最大
--
--
50
100
1200
--
--
0.5
0.8
单位
V
V
条件
发射极开路
开基
IE = 0; VCB = 20V
I
C
= 0; VEB = 4.5 V
I
C
= 100 μA ; VCE = 5 V
I
C
= 1毫安; VCE = 5 V
I
C
= 10毫安; VCE = 5 V
nA
nA
h
FE
直流电流增益
450
400
V
CE（
SAT ）
V
BE （
上）
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
跃迁频率
集电极 - 基极电容
Emmiter - 基极电容
小信号电流增益
噪声系数
--
V
V
兆赫
pF
pF
I
C
= 10毫安; IB = 1毫安
I
C
= 10毫安; VCE = 5V
IC = 500 μA ; VCE = 5 V ;
F = 20MHz的
IE = 0; VCB = 5V ; F = 100KHz的
集成电路= 0; VCB = 5V ; F = 100KHz的
IC = 1.0 mA时， VCE = 5 V ，
F = 1.0千赫
f
T
Cc
Ce
50
--
--
450
--
--
4.0
10
1800
2.0
h
fe
NF
dB
I
C
= 100
µA,
V
CE
= 5.0 V,
R
S
= 10 kΩ的， F = 10 Hz至15.7赫兹
版本A / WW
www.taitroncomponents.com
4个版本
第2A / WW
TAITRON [ TAITRON COMPONENTS INCORPORATED ]
