THN5601SF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	THN5601SF
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内容描述：	NPN硅锗RF功率晶体管 [NPN SiGe RF POWER TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	11 页 / 324 K
品牌：	TACHYONICS [ TACHYONICS CO,. LTD ]

THN5601SF

□

热特性

符号

RTH Ĵ -S

参数

热阻结

到焊接点

条件

Ts=70℃;note1

价值

250

单位

K / W

*注1， TS是温度在集电极引脚的焊接点。

□

快速参考数据

操作模式

CW ， AB类

F [兆赫]

900

[V]

4.8(Icq=5mA)

[ dBm的]

[分贝]

≥

8.0

[%]

≥ 50

□

DC特性

Tj=25

℃

除非另有说明

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家泄漏电流

直流电流增益

跃迁频率

集电极电容

VCE = 4.8V ，电流Icc =的200mA， F = 500MHz的

条件

开放emitte

开基

集电极开路

分钟。

2.5

马克斯。

单位

200

GHz的

VCB = 10V ， F = 1MHz的

www.tachyonics.co.kr

-2/11-

Sep-2003

版本1.1

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