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SM89T16R1L16 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SM89T16R1L16
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内容描述: 8位微控制器,具有64KB闪存ROM和RAM IKB和两个UART与RTC和ADC与PWM嵌入式 [8-Bits Micro-controller With 64KB Flash ROM & IKB RAM & Two UART & RTC & ADC & PWM embedded]
分类和应用: 闪存微控制器
文件页数/大小: 34 页 / 519 K
品牌: SYNCMOS [ SYNCMOS TECHNOLOGIES,INC ]
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新茂科技公司
SM89T16R1
8位微控制器
与64KB的Flash ROM & IKB RAM &两个UART & RTC & ADC & PWM嵌入式
工作条件
符号
TA
TS
VCC33
VCC5
FOSC 16
FOSC 25
描述
工作温度
储存温度
电源电压
电源电压
振荡器频率
振荡器频率
分钟。
-40
-55
3.0
4.5
典型值。
25
25
3.3
5.0
马克斯。
85
155
3.6
5.5
16
25
单元。
V
V
兆赫
兆赫
备注
在偏置环境温度
损坏的设备可能发生
对于3.3V的应用
对于5.0V的应用
DC特性
V
CC
= 5V (±10%), V
SS
= 0V牛逼
A
= -40 ℃至85℃
符号
V
CC
I
CC
I
ID
I
PD
电源电压
电源电流工作
供电电流空闲模式
电源电流关断模式下RTC
关闭
电源电流关断模式下RTC
启用
输入低电平电压时, P0,P1, P2, P3,P4 / EA
输入低电压, RES , XTAL1
输入高电压, P0,P1 ,P2,P3 ,P4, / EA
输入高电压, RES , XTAL1
输入电流低电平端口1,2,3,4
跳变电流高至低端口1,2,3,4
输入漏电流
输出低电压, P0口, ALE , / PSEN
输出低电压,端口1 , 2 , 3 , 4
输出高电压P0口,ALE , / PSEN
输出高电压端口1,2,3,4
内部复位下拉电阻
引脚电容
见注1
f
CLK
= 12MHz的V
CC
= 5.0V
见注2
f
CLK
= 12MHz的V
CC
= 5.0V
见注3 ; V
CC
= 5.5V
见注3 ; V
CC
= 5.5V
输入
V
IL1
V
IL2
V
IH1
V
IH2
I
IL
I
TL
I
LI
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH1
R
RST
C
IO
-0.5
0
2.0
70%VCC
VIN = 0.45V
VIN = 2.0 V
0.45V < VIN < VCC- 0.3V
产量
IOL = 3.2毫安, VCC = 5.0V
IOL = 1.6毫安, VCC = 5.0V
IOH = -800uA , VCC = 5.0V
IOH = -60μA , VCC = 5.0V
测试频率为1MHz = TA = 25 ℃
0.8
0.8
Vcc+0.5
Vcc+0.5
-75
-650
±10
0.45
0.45
2.4
2.4
50
V
V
V
V
µA
µA
µA
V
V
V
V
kΩ
pF
参数
TEST
条件
范围
最大
4.5
5.5
30
15
30
100
单位
V
mA
mA
µA
uA
300
10
V
CC
= 3.3V (±10%), V
SS
= 0V ,T
A
= -40 ℃至85℃
符号
V
CC
I
CC
I
ID
I
PD
电源电压
电源电流工作
见注1
f
CLK
= 12MHz的V
CC
= 3.6V
见注2
供电电流空闲模式
f
CLK
= 12MHz的V
CC
= 3.6V
见注3 ; V
CC
= 3.6V
电源电流关断模式下RTC关闭
见注3 ; V
CC
= 3.6V
电源电流关断模式下RTC启用
输入
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
VCC = 3.6V
0
0
0
0.6的Vcc
参数
TEST
条件
范围
最大
3.0
3.6
20
10
20
30
0.2的Vcc
-0.2
0.2的Vcc
-0.2
0.2的Vcc
-0.2
VCC + 0.2
单位
V
mA
mA
µA
µA
V
V
V
V
V
IL1
V
IL2
VIH1
VIH2
输入低电平电压时, P0,P1, P2, P3,P4 / EA
输入低电压, RST , XTAL1
输入高电压, P0,P1 ,P2,P3 ,P4, / EA
输入高电压, RST
规格如有变更,恕不另行通知联系您的销售代理商以获取最新信息。
SM89T16R1 V1.0 2005年1月
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