新茂科技公司
2002年5月
SM59264
内部数据闪存
FFFF
DFEN = 1
片内数据闪存
作为外部RAM
（可以通过读取
MOVX指令）
内部RAM
64K字节
地址
空间
02FF
02FF
FF
FF
高128字节
80
7F
低128字节
00
片上扩展
768字节RAM
(OME=1)
SFR
00
0000
片内数据闪存
作为外部RAM
(OME=0)
（可以通过读取
MOVX指令）
（ DFEN = 1）
0000
注：外部RAM地址结构，用于读取芯片上的数据闪存。
1.2.1数据存储器 - 下128字节（$ 00到$ 7F ，银行0 &银行1 ）
数据存储器$ 00- $ FF是一样的8052 。
该地址$ 00到$ 7F可以通过直接和间接寻址模式进行访问。
地址$ 00到$ 1F的注册区域。
地址$ 20到$ 2F是存储位区。
地址$ 30到$ 7F是通用的数据存储区。
1.2.2数据存储器 - 高128字节（$ 80〜 $ FF ，银行2 &银行3 ）
该地址$ 80到$ FF可以通过间接寻址模式或通过银行映射直接寻址模式进行访问。
地址$ 80到$ FF是数据区。
1.2.3数据存储器 - 扩展的768字节（$ 0000到$ 02FF ，银行4 〜 15行）
从外部地址$ 0000到$ 02FF的片上扩展RAM区，共768个字节。此区域可接
外部直接寻址模式（通过MOVX指令） ，或通过银行映射直接寻址模式，如下所述：
1.3银行映射直接寻址模式
:
我们提供RAM存储地址“ 40H 〜 7FH ”作为映射窗口，它允许用户访问所有的1K的片上RAM ，通过
这个RAM存储地址。
规格如有变更，恕不另行通知，请联系您的销售代理商以获取最新信息。
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版本1.0
PID 59264 05/02
SYNCMOS [ SYNCMOS TECHNOLOGIES,INC ]
