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SPP4403S8RG 参数 Datasheet PDF下载

SPP4403S8RG图片预览
型号: SPP4403S8RG
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 229 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPP4403
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-16V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
= - 4.5V ,我
D
=-10.0A
V
GS
= - 2.5V ,我
D
=-8.6A
V
GS
= - 1.8V ,我
D
=-7.6A
V
DS
=-5.0V,I
D
=-10.0A
I
S
=-2.5A,V
GS
=0V
-20
-0.35
-0.9
±100
-1
-10
-20
0.016
0.020
0.028
36
-0.8
0.020
0.025
0.035
-1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-10V,V
GS
=-5.0V
I
D
≡-10.0A
30
4.5
8.0
2670
520
480
25
45
nC
V
DS
=-10V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
40
70
240
115
ns
V
DD
=-10V,R
L
=15Ω
I
D
≡-1.0A,V
=-4.5V
R
G
=6Ω
45
145
70
2008/01/10
Ver.1
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