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    SPP3421 参数 Datasheet PDF下载

    SPP3421图片预览
    型号： SPP3421
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 351 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP3421的Datasheet PDF文件第7页  
    SPP3421
    P沟道增强型MOSFET
    电气特性
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    马克斯。
    单位
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =-250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =-250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    V
    SD
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =-48V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =-48V,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =55℃
    V
    DS
    ≦-5V,V
    GS
    =-10V
    V
    DS
    ≦-5V,V
    GS
    =-4.5V
    V
    GS
    =-10V,I
    D
    =-5A
    V
    GS
    =-4.5V,I
    D
    =-2.5A
    V
    DS
    =-10V,I
    D
    =-1.7A
    I
    S
    =-1.25A,V
    GS
    =0V
    -60
    -1
    -3
    ±100
    -1
    -10
    -5
    -2.5
    160
    200
    -1.2
    V
    nA
    uA
    A
    mΩ
    S
    V
    150
    185
    2.4
    -0.8
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    =-10V
    I
    D
    ≡-2A
    V
    DS
    =-30V,V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    16
    8
    3.0
    1200
    115
    7
    9
    109
    25
    11
    pF
    nC
    V
    DD
    =-10V,R
    L
    =15Ω
    I
    D
    ≡-1.0A,V
    根
    =-3V
    R
    G
    =2.5Ω
    ns
    2013/07/17
    Ver.1
    第3页

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