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SPP2305DS23RG 参数 Datasheet PDF下载

SPP2305DS23RG图片预览
型号: SPP2305DS23RG
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 211 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPP2305D
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±10V
V
DS
=-12V,V
GS
=0V
V
DS
=-12V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
DS
≦-5V,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.5A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-3.0A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-2.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-3.5A
I
S
=-1.5A,V
GS
=0V
-15
-0.35
-0.85
±100
-1
-10
-4
-2
0.060
0.072
0.090
8.5
-0.8
0.70
0.85
0.105
-1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
8
nC
pF
16
23
25
20
ns
V
DD
=-6V,R
L
=6Ω
I
D
≡-1.0A,V
=-4.5V
R
G
=6Ω
13
18
15
2011/01/03
Ver.1
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