欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SPP1305 参数 Datasheet PDF下载

SPP1305图片预览
型号: SPP1305
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 225 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
 浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPP1305的Datasheet PDF文件第8页  
SPP1305
P沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=-4V,R
L
=4Ω
I
D
≡-1.0A,V
=-4.5V
R
G
=6Ω
V
DS
=-4V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-0.95A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-0.80A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-0.70A
V
DS
=-5V,I
D
=-1.0A
I
S
=-0.5A,V
GS
=0V
-20
-0.5
-1.2
±100
-1
-5
-6
0.22
0.30
0.42
3.5
-0.8
3.0
0.6
0.5
320
55
25
10
40
18
15
16
60
25
20
0.28
0.38
0.53
-1.2
4.2
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=-4V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-1.0A
nC
pF
ns
2007/10/ 01
Ver.1
第3页