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    SPN8882T252RG 参数 Datasheet PDF下载

    SPN8882T252RG图片预览
    型号： SPN8882T252RG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 9 页 / 213 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPN8882T252RG的Datasheet PDF文件第9页  
    SPN8882
    N沟道增强型MOSFET
    电气特性
    (TA=25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    马克斯。
    单位
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    = V
    GS
    ,I
    DS
    =250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    V
    SD
    V
    DS
    = 0V,V
    GS
    = ±20 V
    V
    DS
    = 24V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    = 24V,V
    GS
    =0V,
    T
    J
    = 125C
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 35A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 35A
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    =20 A
    I
    F
    = 40 A，V
    GS
    = 0V
    30
    0.8
    2.4
    ±100
    1
    100
    0.008
    0.012
    10
    1.0
    1.5
    0.010
    0.014
    V
    nA
    uA
    Ω
    S
    V
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DS
    = 15V,V
    GS
    = 5V,
    I
    D
    =50 A
    12
    4
    5
    1500
    320
    200
    8
    20
    nC
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    = 25V,
    F=1MHz
    pF
    12
    15
    30
    9
    ns
    (V
    DD
    = 15 V，I
    D
    = 50 A,
    V
    GS
    =10V,R
    G
    = 2.5Ω)
    10
    18
    6
    2011/04/19
    Ver.4
    第3页

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