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    SPN80T10T220TGB 参数 Datasheet PDF下载

    SPN80T10T220TGB图片预览
    型号： SPN80T10T220TGB
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 291 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPN80T10T220TGB的Datasheet PDF文件第8页  
    SPN80T10
    N沟道增强型MOSFET
    电气特性
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    马克斯。
    单位
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±25V
    V
    DS
    =80V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =80V,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =125℃
    V
    DS
    =10V,I
    D
    =40A
    I
    S
    =30A,V
    GS
    =0V
    100
    2.0
    4.0
    ±100
    25
    100
    7.1
    75
    1.3
    115
    20
    48
    6000
    550
    300
    21
    58
    41
    15
    9600
    180
    V
    nA
    uA
    mΩ
    S
    V
    R
    DS （ ON）
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =40A
    政府飞行服务队
    V
    SD
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DD
    =50V,R
    L
    =1Ω
    I
    D
    ≡30A,V
    根
    =10V
    R
    G
    =1.66Ω
    V
    DS
    =80V,V
    GS
    =10V
    I
    D
    = 40A
    nC
    V
    DS
    =25,V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    pF
    nS
    2013/10/29
    Ver.1
    第3页

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