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SPN7002DS36RG 参数 Datasheet PDF下载

SPN7002DS36RG图片预览
型号: SPN7002DS36RG
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内容描述: 双N沟道增强型MOSFET [Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 259 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN7002D
双N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
T
J
=125℃
V
GS
=10V,I
D
=0.50A
V
GS
= 5V ,我
D
=0.30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=0.05A
60
1.0
1.7
2.5
±100
1
10
3.5
4.0
3.7
5.0
5.5
5.5
0.35
1.4
1.5
V
nA
uA
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
漏源导通电阻
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
R
DS ( ON)
A
A
S
V
I
SD
I
SDM
(2)
GFS ( 1 )V
DS
= 10 V,I
D
= 0.5 A
V
SD
(1) V
GS
= 0 V,I
S
= 0.12A
0.6
0.85
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
= 30 V,I
D
= 1 A,
V
GS
= 5 V
1.4
0.8
0.5
43
20
6
5
2.0
nC
V
DS
= 25 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
pF
V
DD
= 30 V,I
D
= 0.5 A
R
G
= 4.7Ω V
GS
= 4.5 V
15
7
8
ns
(1 )脉冲:脉冲持续时间= 300
μs,
占空比为1.5% 。
( 2 )脉冲宽度有限的安全工作区。
2006/09/10
Ver.1
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