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    SPN7002S32RG 参数 Datasheet PDF下载

    SPN7002S32RG图片预览
    型号： SPN7002S32RG
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 264 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SPN7002S32RG的Datasheet PDF文件第9页  
    SPN7002
    N沟道增强型MOSFET
    电气特性
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    漏源导通电阻
    源极 - 漏极电流
    源极 - 漏极电流（脉冲）
    正向跨导
    二极管的正向电压
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DD
    = 30 V，I
    D
    = 0.5 A
    R
    G
    = 4.7Ω V
    GS
    = 4.5 V
    V
    DD
    = 30 V，I
    D
    = 1 A,
    V
    GS
    = 5 V
    1.4
    0.8
    0.5
    43
    20
    6
    5
    15
    7
    8
    20
    60
    30
    10
    20
    ns
    pF
    2.0
    nC
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    R
    DS （ ON）
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =48V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =48V,V
    GS
    =0V
    T
    J
    =55℃
    V
    GS
    =10V,I
    D
    =0.50A
    V
    GS
    = 5V ，我
    D
    =0.30A
    60
    1.0
    1.7
    2.5
    ±100
    1
    10
    2.5
    3.3
    6.0
    7.0
    0.35
    1.4
    1.5
    V
    nA
    uA
    Ω
    A
    A
    S
    V
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    马克斯。
    单位
    I
    SD
    I
    SDM
    (2)
    GFS （ 1 ）V
    DS
    = 10 V，I
    D
    = 0.5 A
    V
    SD
    (1) V
    GS
    = 0 V，I
    S
    = 0.12A
    0.6
    0.85
    V
    DS
    = 25 V ， F = 1MHz时，
    V
    GS
    = 0
    （1 ）脉冲：脉冲持续时间= 300
    μs,
    占空比为1.5％ 。
    （ 2 ）脉冲宽度有限的安全工作区。
    2013/11/12
    Ver.4
    第3页

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