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SPN4436S8RGB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SPN4436S8RGB
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 239 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN4436
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=30V,R
L
=6.8Ω
I
D
≡4.4A,V
=10V
R
G
=1Ω
V
DS
=30V,V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
V
DS
=60V,V
GS
=0V
T
J
=85℃
V
DS
≥5V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=8A
V
GS
=4.5V,I
D
=6A
V
DS
=15V,I
D
=5.3A
I
S
=2.0A,V
GS
=0V
60
0.8
2.0
±100
1
5
30
0.034
0.038
24
0.8
10
3.5
3.6
890
85
48
10
12
25
10
15
20
35
15
0.038
0.044
1.2
15
V
nA
uA
A
S
V
V
DS
=30V,V
GS
=5V
I
D
= 5.3A
nC
pF
nS
2009 / 04 / 05
Ver.1
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