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SPN4416BS8RGB 参数 Datasheet PDF下载

SPN4416BS8RGB图片预览
型号: SPN4416BS8RGB
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 210 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN4416B
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
V
DS
=20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≥5V,V
GS
=4.5V
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10.0A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=7.0A
V
DS
=15V,I
D
=5.0A
I
S
=1.0A,V
GS
=0V
20
0.6
1.4
±100
1
10
6
0.008
0.020
30
0.8
0.012
0.025
1.2
V
nA
uA
A
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
=10V,V
GS
=4.5V
I
D
≡5.0A
18
4.2
6.8
850
135
105
12
25
nC
V
DS
=10V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
16
28
55
58
ns
V
DD
=10V,R
L
=10Ω
I
D
≡1.0A,V
=4.5V
R
G
=6Ω
10
30
35
2009/12/20
Ver.1
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