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SPN3632T220TGB 参数 Datasheet PDF下载

SPN3632T220TGB图片预览
型号: SPN3632T220TGB
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内容描述: N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 236 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPN3632
N沟道增强型MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
V
GS
=0V,I
D
=250uA
V
GS ( TH)
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
R
DS ( ON)
政府飞行服务队
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DD
=50V,R
L
=0.6Ω
I
D
≡20A,V
=10V
R
G
=1.0Ω
V
DS
=50V
GS
=0V
f=1MHz
V
DS
=0V,V
GS
=±20V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
V
DS
=80V,V
GS
=0V
T
J
= 150 °C
V
DS
≥10V,V
GS
=10V
V
GS
= 10V ,我
D
=80A
V
GS
= 6.0V ,我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ,我
D
=10A
V
DS
=15V,I
D
=20A
I
S
=30A,V
GS
=0V
100
1.0
3.0
±100
1
250
70
7.5
8.5
8.2
62
8.5
9.8
10.0
1.5
230
80
55
14200
800
220
75
40
100
25
V
nA
uA
A
mΩ
S
V
V
DS
=50V,V
GS
=10V
I
D
= 20A
nC
pF
nS
2009 / 04 / 10
Ver.1
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