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    SPN3009 参数 Datasheet PDF下载

    SPN3009图片预览
    型号： SPN3009
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 234 K
    品牌： SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
     浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SPN3009的Datasheet PDF文件第7页  
    SPN3009
    N沟道增强型MOSFET
    (T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    栅极阈值电压
    栅极漏电流
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    漏源导通电阻
    正向跨导
    二极管的正向电压
    单脉冲雪崩能量
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    符号
    条件
    分钟。
    典型值
    MAX 。 UNIT
    V
    （ BR ） DSS
    V
    GS
    =0V,I
    D
    =250uA
    V
    GS （ TH）
    V
    DS
    =V
    GS
    ,I
    D
    =250uA
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    政府飞行服务队
    V
    SD
    EAS
    V
    DS
    =0V,V
    GS
    =±20V
    V
    DS
    =24V,V
    GS
    =0V
    V
    DS
    =24V,V
    GS
    = 0V ，T
    J
    =55℃
    V
    DS
    ≥5V,V
    GS
    =10V
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    =30A
    V
    GS
    =4.5V,I
    D
    =15A
    V
    DS
    =5V,I
    D
    =30A
    I
    S
    =1A,V
    GS
    =0V
    V
    DD
    = 25V ，L = 0.1mH ，
    I
    AS
    =20A
    30
    1.0
    2.5
    ±100
    1
    5
    51
    7.5
    11
    42
    45
    9
    13.5
    1
    V
    nA
    uA
    A
    mΩ
    S
    V
    mJ
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    DS
    =15V,V
    GS
    =4.5V
    I
    D
    = 15A
    10.6
    4.2
    4
    1127
    194
    78
    6.4
    13
    127
    45
    18
    nS
    70
    22.5
    8
    pF
    nC
    V
    DS
    =15V
    GS
    =0V
    f=1MHz
    V
    DD
    =15V,
    I
    D
    =15A,V
    根
    =10V
    R
    G
    =3.3Ω
    典型特征
    2011/08/22
    Ver.2
    第3页

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