SPC6605
ñ & P对增强模式MOSFET
引脚说明
针
1
2
3
4
5
6
符号
G1
S2
G2
D2
S1
D1
描述
门1
源2
门2
排水2
源1
Drain1
订购信息
产品型号
SPC6605ST6RG
SPC6605ST6RGB
包
TSOP- 6P
TSOP- 6P
部分
记号
05YW
05YW
※
本周代码: A〜Z ( 1 〜 26 ) ; A〜Z ( 27 〜 52 )
※
SPC6605ST6RG :带卷轴;铅 - 免费
※
SPC6605ST6RGB :带卷轴;铅 - 免费;卤素 - 免费
ABSOULTE最大额定值
(T
A
=25
℃
除非另有说明)
典型
参数
漏源电压
栅 - 源电压
连续漏电流(T
J
=150
℃
)
漏电流脉冲
连续源电流(二极管传导)
功耗
工作结温
存储温度范围
热阻,结到环境
T
≤
10sec
稳定状态
T
A
=25℃
T
A
=70℃
T
A
=25℃
T
A
=70℃
符号
N沟道
V
DSS
V
GSS
20
±12
3.2
2.6
10
1.6
1.15
0.75
-55/150
-55/150
50
90
52
95
P沟道
-20
±12
-2.4
-1.8
-8
-1.4
V
V
A
A
A
W
℃
℃
℃
/W
单位
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
T
英镑
R
θJA
2011/8/1
初步
第2页