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SPC6332 参数 Datasheet PDF下载

SPC6332图片预览
型号: SPC6332
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内容描述: 氮磷对增强模式MOSFET [N & P Pair Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 264 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPC6332
ñ & P对增强模式MOSFET
电气特性
(T
A
=25
除非另有说明)
参数
STATIC
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅压漏
当前
通态漏电流
符号
条件
V
GS
=0V,I
D
= 250uA
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=250uA
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
= 20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
= 20V,V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
=-20V,V
GS
= 0V牛逼
J
=55℃
V
DS
4.5V,V
GS
=5V
V
DS
-4.5V,V
GS
=-5V
V
GS
=4.5V,I
D
=0.95A
V
GS
=-4.5V,I
D
=-1.0A
V
GS
=2.5V,I
D
=0.75A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-0.8A
V
GS
=1.8V,I
D
=0.65A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-0.5A
V
DS
=10V,I
D
=1.2A
V
DS
=-10V,I
D
=-1.0A
I
S
=0.5A,V
GS
=0V
I
S
=-0.5A,V
GS
=0V
分钟。
N沟道
20
P沟道
-20
N-CH 0.35
P沟道-0..35
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
2
P沟道
-2
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
典型值
MAX 。 UNIT
V
( BR ) DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
1.0
-1.0
100
-100
1
1
5
5
0.26
0.42
0.32
0.58
0.42
0.75
2.6
1.5
0.8
-0.8
1.2
1.1
0.2
0.3
0.3
0.2
15
18
20
25
25
20
12
12
0.38
0.52
0.45
0.70
0.80
0.95
1.2
-1.2
2.0
1.8
V
nA
uA
A
漏源导通电阻R
DS ( ON)
正向跨导
二极管的正向电压
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
政府飞行服务队
V
SD
S
V
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
N沟道
V
DS
=10V,V
GS
= 4.5V ,我
D
≡1.2A
P沟道
V
DS
=-10V,V
GS
= -4.5V ,我
D
≡-1.0A
nC
开启时间
t
r
t
D(关闭)
打开-O FF时间
t
f
N沟道
V
DD
=10V,R
L
=20Ω ,I
D
≡0.5A
V
= 4.5V ,R
G
=6Ω
P沟道
V
DD
=-10V,R
L
=20Ω ,I
D
≡-0.5A
V
= -4.5V ,R
G
=6Ω
25
30
30
40
40
30
20
20
nS
2007/04/25
Ver.1
第3页