SPC6332
ñ & P对增强模式MOSFET
描述
该SPC6332是N沟道和P沟道增强
型功率场效应晶体管都采用生产
高密度, DMOS沟道技术。这种高
密度工艺特别适合于减小导通状态
性,并提供出色的开关性能。
这些装置特别适用于低电压
应用,例如笔记本电脑的电源
管理和其它电池供电的电路,其中
高侧开关,低线功率损耗,并
需要抗瞬变。
应用
在笔记型电源管理
便携式设备
电池供电系统
DC / DC转换器
负荷开关
DSC
液晶显示器逆变器
特点
N沟道
20V/0.95A,R
DS ( ON)
=380mΩ@V
GS
=4.5V
20V/0.75A,R
DS ( ON)
=450mΩ@V
GS
=2.5V
20V/0.65A,R
DS ( ON)
=800mΩ@V
GS
=1.8V
P沟道
-20V/1.0A,R
DS ( ON)
= 520mΩ @ V
GS
=-4.5V
-20V/0.8A,R
DS ( ON)
= 700mΩ @ V
GS
=-2.5V
-20V/0.7A,R
DS ( ON)
= 950mΩ @ V
GS
=-1.8V
超高密度电池设计极低
RDS ( ON)
出色的导通电阻和最大DC
电流能力
SOT- 363 ( SC - 70-6L )封装设计
引脚配置( SOT - 363 / SC- 70-6L )
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2011/04/07
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