SPC4703
P沟道沟道MOSFET和肖特基二极管
电气特性
(T
A
=25
℃
除非另有说明）
参数
MOSFET静态
漏源击穿电压
栅极阈值电压
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
V
（ BR ） DSS
V
GS
=0V,I
D
=-250uA
V
GS （ TH）
V
DS
=V
GS
,I
D
=-250uA
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
R
DS （ ON）
V
DS
=0V,V
GS
=±12V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
V
DS
=-20V,V
GS
=0V
T
J
=55℃
V
DS
≦-5V,V
GS
=-4.5V
V
GS
=-4.5V,I
D
=-3.4A
V
GS
=-2.5V,I
D
=-2.4A
V
GS
=-1.8V,I
D
=-1.7A
V
GS
=-1.25V,I
D
=-1.0A
V
DS
=-5V,I
D
=-2.8A
-20
-0.35
-0.8
±100
-1
-5
-6
0.075
0.095
0.120
0.185
6
0.090
0.120
0.155
0.210
V
nA
uA
A
Ω
符号
条件
分钟。
典型值
马克斯。
单位
正向跨导
MOSFET动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
肖特基参数
正向电压降
反向击穿电压
最大反向漏电流
结电容
SchottkyReverse恢复时间
肖特基反向恢复电荷
政府飞行服务队
S
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=-6V,V
GS
=-4.5V
I
D
≡-2.8A
4.8
1.0
1.0
485
85
40
10
8
nC
V
DS
=-6V,V
GS
=0V
f=1MHz
pF
16
23
25
20
ns
V
DD
=-6V,R
L
=6Ω
I
D
≡-1.0A,V
根
=-4.5V
R
G
=6Ω
13
18
15
V
F
V
BR
IRM
C
T
T
rr
Q
rr
I
F
=1A
I
R
=电流降至500uA
V
R
= 23V
V
R
= 23V ，T
J
=70℃
V
R
= 10V
V
R
= 0V ， F = 1MHz的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
20
0.43
0.47
0.1
1
V
V
mA
pF
31
120
5.4
0.8
10
ns
nC
2008/05/15
Ver.1
第3页
SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
