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SPP2303S23RGB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SPP2303S23RGB
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内容描述: P沟道增强型MOSFET [P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 183 K
品牌: SYNC-POWER [ SYNC POWER CROP. ]
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SPP2303  
P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(TA=25Unless otherwise noted)  
Parameter  
Static  
Symbol  
Conditions  
Min.  
Typ  
Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
V(BR)DSS VGS=0V,ID=-10uA  
VGS(th) VDS=VGS,ID=-250uA  
-30  
V
-1.0  
-3.0  
Gate Leakage Current  
IGSS  
VDS=0V,VGS=±20V  
VDS=-24V,VGS=0V  
VDS=-24V,VGS=0V  
±100  
-1  
nA  
uA  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
-10  
TJ=55℃  
VDS-5V,VGS=-10V  
On-State Drain Current  
ID(on)  
-6  
A
VGS=- 10V,ID=-2.6A  
VGS=-4.5V,ID=-2.0A  
0.095  
0.125  
0.130  
0.180  
Drain-Source On-Resistance  
RDS(on)  
Forward Transconductance  
Diode Forward Voltage  
gfs  
VDS=-10V,ID=-1.7A  
IS=-1.25A,VGS=0V  
2.4  
S
VSD  
-0.8  
-1.2  
10  
V
Dynamic  
Total Gate Charge  
Qg  
Qgs  
Qgd  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
5.8  
0.8  
1.5  
226  
87  
19  
9
VDS=-15V,VGS=-10V  
ID-1.7A  
nC  
pF  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Input Capacitance  
VDS=-15V,VGS=0V  
f=1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
20  
20  
35  
20  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
VDD=-15V,RL=15Ω  
ID-1.0A,VGEN=-10V  
RG=6Ω  
9
ns  
td(off)  
tf  
18  
6
2010/10/28 Ver.7  
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