HV300/HV310
电气特性
(V
符号
参数
IN
= -10V到-90V ， -40°C
≤
T
A
≤
+ 85 ° C除非另有说明）
民
典型值
最大
单位
条件
供应
V
EE
I
EE
I
EE
（参考V
DD
针）
电源电压
电源电流
待机模式下电源电流
（参考V
EE
针）
1.26
1.16
100
1.0
1.26
1.16
100
1.0
V
V
mV
nA
V
V
mV
nA
从低到高的转变
高向低过渡
V
UV
= V
EE
+ 1.9V
从低到高的转变
高向低过渡
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
-90
550
330
-10
650
400
V
µA
µA
V
EE
= -48V ，模式=限制
V
EE
= -48V ，模式=待机
OV和UV控制
V
UVH
V
UVL
V
UVHY
I
UV
V
OVH
V
OVL
V
OVHY
I
OV
UV高门槛
UV下限
UV迟滞
UV输入电流
OV阈值高
OV阈值低
OV滞后
OV输入电流
（参考V
EE
针）
40
电流限制
V
SENSE
电流限制门限电压
50
60
mV
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
栅极驱动输出
V
门
I
GATEUP
（参考V
EE
针）
9.0
500
10
11
V
µA
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V,
V
OV
= V
EE
+ 0.5V,
V
UV
= V
EE
, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
最大栅极驱动电压
栅极驱动上拉电流
I
GATEDOWN
栅极驱动器下拉电流
40
mA
时序控制 -
I
坡道
t
POR
t
上升
t
极限
t
PWRGD
V
坡道
测试条件： C = 100μF ，C
坡道
= 10nF电容，V
UV
= V
EE
+1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V ，外部MOSFET IRF530 *
RAMP引脚输出电流
时间从紫外到门开启
从门时间打开到V
SENSE
极限
限流模式的持续时间
从限流时间PWRGD
在电流限制模式下电压RAMP引脚
10
2.0
400
5.0
5.0
3.6
µA
ms
µs
ms
ms
V
V
SENSE
= 0V
（注1 ）
（注2 ）
电源良好输出
V
PWRGD
V
PWRGD
（参考V
EE
针）
90
0.5
0.8
V
V
I
PWRGD
= 1毫安
电源良好引脚击穿电压
电源良好引脚输出低电压
动态characterstics
t
GATEHLOV
t
GATEHLUV
OV DELAY
UV DELAY
500
500
ns
ns
注1：此时间取决于外部N沟道MOSFET的阈值电压。较高的阈值，时间越长这一定时。
注2 ：此电压取决于外部N沟道MOSFET的特性。
* IRF530是国际整流器公司的注册商标。
V
GS （ TH）
= 3V为IRF530 。
2
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
