HV301/HV311
电气特性
(-10V
≤
V
符号
参数
EE
≤
-90V ， -40°C
≤
+ 85 ° C除非另有说明）
典型值
最大
单位
条件
民
供应
（参考V
DD
针）
V
EE
I
EE
I
EE
电源电压
电源电流
睡眠模式就给电流
-90
600
400
-10
700
450
V
µA
µA
V
EE
= -48V ，模式=限制
V
EE
= -48V ，模式=睡眠
OV和UV控制
（参考V
EE
针）
V
UVH
V
UVL
V
UVHY
I
UV
V
OVH
V
OVL
V
OVHY
I
OV
UV高门槛
UV下限
UV迟滞
UV输入电流
OV阈值高
OV阈值低
OV滞后
OV输入电流
1.26
1.16
100
1.0
1.26
1.16
100
1.0
V
V
mV
nA
V
V
mV
nA
V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+1.9V
从低到高的转变
高向低过渡
从低到高的转变
高向低过渡
电流限制
（参考V
EE
针）
V
SENSE -CL
V
SENSE -CB
电流限制门限电压
断路器阈值电压
40
80
50
100
60
120
mV
mV
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
栅极驱动输出
（参考V
EE
针）
V
门
I
GATEUP
I
GATEDOWN
最大栅极驱动电压
栅极驱动上拉电流
栅极驱动器下拉电流
8.5
50 0
40
10
12
V
µA
mA
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
+ 1.9V, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
V
UV
= V
EE
, V
OV
= V
EE
+ 0.5V
斜坡时序控制
（测试条件：C
负载
= 100μF ，C
坡道
= 10nF电容，V
UV
=V
EE
+1.9V, V
OV
=V
EE
+ 0.5V ，外部MOSFET IRF530 * ）
I
坡道
t
POR
t
上升
t
极限
t
PWRGD
V
坡道
t
STARTLIMIT
t
CBTRIP
t
AUTO
RAMP引脚输出电流
时间从紫外到门开启
从门时间打开到V
SENSE
极限
限流模式的持续时间
从限流时间PWRGD
在电流限制模式下电压RAMP引脚
启动时间限制
断路器延迟时间
自动重新启动延迟时间
80
2.0
16
2.0
400
5.0
5.0
3.6
100
120
5.0
10
µA
ms
µs
ms
ms
V
ms
µs
s
可以通过外接RC电路来延长
V
SENSE
= 0V
（见注1 ）
（见注2 ）
电源良好输出
（参考V
EE
针）
V
PWRGD （ HI）
V
PWRGD （ LO ）
I
PWRGD （ LK ）
施加的电压PWRGD
PWRGD低电压
最大漏电流
90
0.5
<1.0
0.8
10
V
V
µA
PWRGD =无效
I
PWRGD
= 1mA时， PWRGD =活动
PWRGD =无效，V
PWRGD
=90
动态特性
t
GATEHLOV
OV比较过渡
t
GATEHLUV
紫外线比较过渡
500
500
ns
ns
注1：此时间取决于外部N沟道MOSFET的阈值电压。较高的阈值，时间越长这一定时。
注2 ：此电压取决于外部N沟道MOSFET的特性。 V
th
= 3V为IRF530 。
* IRF530是国际整流器公司的注册商标。
2
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