HV256FG 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HV256FG
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内容描述：	32通道高电压放大器阵列 [32-Channel High Voltage Amplifier Array]
分类和应用：	运算放大器放大器电路
文件页数/大小：	7 页 / 359 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

HV256

二极管

符号

PIV

参数

峰值反向电压

正向二极管压降

正向二极管电流

温度COEF网络cient

民

典型值

最大

5.0

单位

µA

毫伏/°C的

条件

阴极到阳极

If=100

A，阳极到阴极

阳极到阴极

0.60

100

-2.20

上电/掉电序列

该装置可因不当电/掉电而损坏

序列。为了防止损坏，请按照可以接受的

上电/掉电序列，并添加两个外部二极管，如图所示

在下面的图。所述第一二极管是一种高电压二极管

跨V

和V

其中，所述二极管的阳极连接

到V

和二极管的阴极连接到Vpp的。任何低

电流高电压二极管，如1N4004将是足够的。

所述第二二极管是横跨伏的肖特基二极管

和DGND在哪里

肖特基二极管的阳极连接到V

和

阴极连接到DGND 。任何低电流肖特基二极管

如1N5817就足够了。

1N4004

或同级

1N5817

或同级

可以接受的上电序列

1) V

2) V

3) V

4 ）输入&阳极

保护地

接受掉电序列

1 ）输入&阳极

2) V

3) V

4) V

引脚说明

-V

GND

来源

SINK

阳极

阴极

0到V

OUT

0到HV

OUT

高电压正电源。有两个垫。

低电压1.0到整个V 10nF的去耦电容

和B

-V

所需。

模拟低电压正电源。有四个垫。

低电压1.0到整个V 10nF的去耦电容

和B

-V

所需。

模拟低电压负suply 。有四个垫。

低电压1.0到整个V 10nF的去耦电容

和B

-V

所需。

设备接地。有四个垫。

从研发外部电阻

来源

到V

设置输出电流源的限制。

电流限制大约为12.5V由RSOURCE电阻值的分歧。

从研发外部电阻

SINK

到V

设置输出电流吸收极限。当前

极限约为12.5V由R除以

SINK

电阻值。

一个低电压的硅二极管的阳极侧，可以用于监视模

温度。

一个低电压的硅二极管的阴极侧，可以用于监视模

温度。

Amplifie.r输入

放大器outpu.ts

A112304

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