HV2116
8通道高压模拟开关
订购信息
封装选项
V
PP
– V
NN
160V
28引脚塑料
芯片载体
HV2116PJ
DIE
HV2116X
特点
ETE -
SOL
概述
- OB
不建议用于新设计。请使用HV202
代替。
该器件是一款8通道高电压模拟开关集成电路
集成电路(IC)设计用于在应用中需要高电压
由低电压的控制信号,如超切换控制
声成像和打印机。输入数据被移位到一个8位的移位
寄存器,它可以随后在一个8位锁存器被保留。为了减少
任何可能的时钟馈通噪声,锁存使能( LE )应
留高,直到所有位都移入。使用HVCMOS技
术,此开关结合了高电压DMOS双边开关
和低功耗的CMOS逻辑来提供高效率的控制
电压模拟信号。
这种集成电路适用于高电压的各种组合支持
层,例如,对于HV2116 + 40V / -120V ,或+ 80V / -80V或+ 150V / -10V 。
■
HVCMOS
®
技术用于高性能
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非常低的静态功耗 - 10μA
■
输出导通电阻通常为22欧姆
■
低寄生电容
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DC至10MHz的模拟信号频率
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-50dB在5MHz典型输出关断隔离
■
CMOS逻辑电路,用于低功率
■
卓越的抗干扰能力
■
片上的移位寄存器,锁存器及逻辑电路
■
灵活的高电压电源
■
表面贴装封装
13
13
绝对最大额定值*
V
DD
逻辑电源电压
V
PP
- V
NN
电源电压
V
PP
正高电压电源
V
NN
负高压电源
逻辑输入电压
模拟信号范围
峰值模拟信号电流/通道
储存温度
功耗
-0.5V至+ 18V
174V
-0.5V到+ 160V
+ 0.5V至-160V
-0.5V到V
DD
+0.3V
V
NN
到V
PP
3.0A
-65 ° C至+ 150°C
1.2W
*绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。
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