HV111
操作描述
I
DS
I
DS
V
PGRND
-V
NN
V
漏
-V
NN
V
漏
-V
NN
V
PP
-V
NN
图10 - 限制超时
图9 - 打开波形
参看图9， HV111的操作可以是
说明。初始功率应用（波形1
图。 9） HV111提供稳定的电源为
内部电路。直到正确的内部电压达到
所有电路都保持复位， N沟道MOSFET关断和
在PWRGD条引脚为开（无效）。一旦内部
监管安全操作，欠压锁定
（UVLO ）感测的输入电压。在UVLO将举行
通元件关闭，直到它得到满足。在期间的任何时间
启动周期或在其后，在输入电压低于落下
UVLO阈值将关闭N沟道MOSFET和
复位所有内部电路。该集成电路还包括一个夹具
通过C负载杂散浪涌和的循环流化床
MOSFET的导通元件。一个正常的重启顺序将
发起一次输入电压上升高于UVLO
门槛。
在UVLO主管工作结合在功率
复位（POR）的定时器。定时器约为4.5ms到
克服触点颤动。在触点抖动，如果
输入电压低于欠压锁定阈值电压，然后
上电复位定时器将复位。在这样的卡都将延迟
直到反弹结束。上电复位定时器将再次重新启动时，
在输入电压高于UVLO阈值，一旦
再次。经过一个完整的上电复位期间被满足时， N型沟道
MOSFET开始导通到输出电容器充电
用一个电流源限制为〜 1.2A （通过示
在图4的波形。 9）。需要注意的PWM保护的
导致目前的上升波形4的边缘;这是
PWM保护限制电流，因为最初的电容
表现为完全短路。波形图2示出在V
DS
or
漏极引脚。
初始浪涌超时
在HV111监视漏极 - 源极电压和输出
电流。在热插拔，如果漏源不降
下面短路电路计时器内1/4输入电压的
期间（t
SC
= 75ms ），则该部分将得出结论，即短
电路的情况存在，将关闭内部MOSFET ，并
自动重试周期为9.0sec 。这种情况示于
图。 10以上（其中，波形4是漏极电流，
波形1为V
PP
） 。注意，如果短路是低
足够的阻抗保持内〜 1V的漏极电压
V
PP
然后PWM电流限制将接合，如图所示。
7.另外， PWM电流限制将保持到
V
PP
– V
DS
>~1V.
经过热交换时期成功完成，内部
MOSFET导通完全在&的PWRGD条被拉低
（ ACTIVE ） 。 PWRGD栏操作（连接到一个上拉）是
由图3的波形示出。 9 。
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