HV110
PD功率标准
根据符合IEEE802.3af标准， PD
必须从36V工作要占一个潜在的8V
整个网络的阻抗线路压降
浪涌期间（ 400毫安最大电流X 20Ω线 -
阻抗） 。在UVLO必须允许44V的最大开启
上和一个30V的最小关断。可以在PD设备
画12.95W的最大功率。最大
功率，可以预期由20Ω不限
线电阻携带350毫安电流给PD
在44V的最小输入电压（电源
交付是12.95W [ { 44 - （ 20 * 0.35 ） } * 0.35 ] 。
自动重启
任何故障状态会导致设备关闭
下来，使9秒自动重启定时器。这
会发生无限，反对强有力的保障
当HV110用于PD PSE的错误
应用程序。
请注意， 9秒自动重启将断开
PD也由于目前的条件下，并且将
关掉电源设备中，由于PSE将不会看到
对于大于400ms的周期的最小电流
（ 350ms的名义） 。
PD应用
IEEE电气&时序要求
下面是HV110的主要特征，一些
它们通常只在PSE设备发现。
提供了一个内部电流限制浪涌电流，
正常操作和过载条件。
限制输入电流小于10μA的
不会发现从2.6V至10V干预
（与齐纳如图1） 。
符合的导通和关断的阈值的
的PD设备&有一个内置在8V迟滞（具有
在图10所示的PNP型晶体管） 。
可防止热失控较远的位置，用
热停机和内置9秒重启
定时器。
UVLO & POR提供热插拔/反跳
功能和浪涌电流限制。
PWRGD （低电平有效）提供使能信号
DC / DC变换器。
符合时序要求的IEEE
802.3af标准。
分类可以容易地实现的，如
如图9所示。
除了操作为PD控制器， HV110
可以作为冗余保护元件的功能
确保运行可靠，符合
IEEE802.3af标准的PD ，即使是在案件
其中PD是由辅助电源供电
源，如图11 。
PWRGD
该PWRGD （低电平有效）引脚是开漏活跃
低MOSFET （简称V
NN
），其被使能
当在内部电源的栅极电压
MOSFET达到其满电压，其前提是
压摆率（V
SLEW
）超时大电容不
被使用。
任何故障状态将返回PWRGD到高
阻抗状态，关闭HV110和
DC / DC变换器。电源设备也将检测
暗流条件一段大于
350毫秒（标称值） ，并且将关闭本身。它会
然后等待下一个发现周期。
可编程UVLO和滞后
ULVO通过2.5Mohm和116K内部设置
电阻分压器在HV110 。的默认值
UVLO在电气特性上给出
第2页。
UVLO电路有一个内置的8V的滞后，以
在紫外线条件使稳定的操作。看
一节签名检测的进一步细节。
内部MOSFET和电流镜
HV110包括内部90V ， 1欧姆的MOSFET 。
MOSFET的电流被镜像到一个检测电流
芯片内的电路，利用一个专有Supertex公司
算法和废物几乎不耗电。消除
必要时与外部电源感测电阻器的
交换机是指额外的节能效果，提供
更高的功率输出。使用一个板上FET的和
热监督者还导致高可靠性
相比于使用外部FET的集成电路
温度下不能容易地监测。
热关断
HV110设计有一个内置的热关断
功能，以确保更高级别的可靠性。它会
如果关断对模具下游的温度
140℃，将尝试重新启动时的温度
下降到120 ℃。
PD极性
根据IEEE802.3af标准， PD应不敏感
电源的极性，并应能够
工作在模式A和模式B（情况下，当
动力通过信号导线传送和
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A061104
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
