HV100/HV101
应用信息
打开钳
利用MOSFET作为导通元件热插拔控制器的所有
包括从V电容分压器
PP
到V
NN
到C
负载
, C
RSS
和C
GS
。在最具竞争力的解决方案，一个大的外部电容
被添加到传输元件的栅极，以限制电压上
门从这个分频器产生。如果在门的情况下，
电容器不使用内部电路不提供给持有
关的栅极，因此，在电压输入快速上升将导致
通元件开启了一会儿。这使得电流尖峰
通过在MOSFET 。
在HV100 / HV101包括一个内置的夹子，以确保该
杂散电流毛刺不会发生。内置的夹子将
对于大多数机械连接的时间常数工作。
可能有一些应用，但是，有上升时间是
大于1μs的时间（100的纳秒）少得多。在这些情况下，它可
有必要从MOSFET的栅极加上一个电容器
源钳位栅极和抑制这种电流尖峰。在
这些情况下的电流尖峰，通常含有非常少的
能量，并且不造成损害，即使电容器是不
用在栅极。
短路保护
在HV100 / HV101通过关闭提供短路保护
下来，如果用热交换相关的米勒效应不会发生。
具体地，如果在输出短路时则栅极会上升，而不
表现出“反响平平” 。由于这样的事实，我们有归一
美化版的热插拔期间的任何调整元件，定时器可
用于检测，如果栅极电压高于阈值内
那时，表示一个短的存在。下图
示出了一个典型的导通顺序与负载短路时，所得
在图4A的峰值电流。
2A/div
自动适应操作
在HV100 / HV101自动适应机制提供了祁门功夫，功夫
坦功能。它规范了热交换期间，无论
通元件或负载电容一致的热交换效果。
通过这样做，它允许新的短路机制工作
因为该机制需要一个已知的时间基准。
在此期间可能出现的最大电流可以是
通过增加串联的源极电阻控制
MOSFET。下图显示了相同的电路具有100mΩ的
源和V之间的电阻插入
NN
。在这种情况下
最大电流要小25％。
上图说明了自动的有效性
适应机制。在本实施例3的MOSFET具有不同
C
国际空间站
和R
DSON
值被使用。顶部波形是在热交换
电流，而底部波形是栅极电压。由于能
可以看出，在热交换期间被归一化，的初始斜率
栅极电压不管MOSFET大约2.5V / ms的，
和总的热交换周期和峰值电流的函数
MOSFET的类型有关的常数乘以被C
负载
.
典型地，如果使用相同类型的晶体管，所述热交换
结果将是非常一致的。如果不同类型的使用
他们通常会表现出的变化最小。
对于大多数应用，并通过元件时， HV100 / HV101
提供了足够的最大电流的限制，以防止
损坏，而无需任何外部元件。在2.5秒
自动重试电路的延迟时间提供了旁路元件
尝试之间进行冷却。
NTE66是NTE电子的商标。
IRF530是国际整流器公司的商标
IRF120M是国际整流器公司的商标
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SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
