HV100/HV101
应用信息，续。
自动重试
不仅在HV100 / HV101提供短路保护
在一个3引脚封装，还包括内置的自动重启动一个2.5秒
定时器。在HV100 / HV101将不断尝试打开
系统每隔2.5秒，从而提供足够的时间进行调整元件
每次尝试后冷却下来。
编程HV100 / HV101
在HV100 / HV101无需之外的其他外部元件
传递元件，以提供迄今所描述的功能。在
某些应用程序使用的外部元件可能是有用
调整的最大允许浪涌电流，调整欠压锁定，或
以提供额外的栅极钳位如果电源轨有上升
次低于1毫秒。
上述所有的都是可能的，外部的最小数量
组件。
i)
要调整浪涌电流与外部组件简单
连接一个电容（C
FB
）从漏极到MOSFET的栅极。
浪涌计算就变成了：
I
侵入
= (C
国际空间站
/ (C
RSS
+ C
FB
） ） * 2.5e3 * C
负载
注意，电阻器（约10KΩ ）需要
加在串联使用C
FB
用来在反馈回路中的零
并限制杂散转弯上现在是由增强
较大的分部分。
ii)
为了提高欠压闭锁只需连接一个齐纳
在一系列与V二极管
PP
引脚。
2A/div
计算浪涌电流
如可以看到图中的下方，为一标准通
元，在HV100 / HV101将正常化热插拔时间
期间对负载电容。由于这个原因，电流限制
会增加而增加的负载电容的值。
ⅲ）如果在V
PP
上升特别快（ >48e6V /秒），那么它可以是
希望从栅极连接的电容器到的源
的MOSFET ，以提供用于功率应用转录的路径
过性秒杀，也就是现在的太快了内部钳位
机制。
ⅳ）为了限制在短路期间，在电阻器的峰值电流
串联在MOSFET的源极可能有帮助。
实施PWRGD控制
由于HV100 / HV101的占地面积小，可以创建
使用外部组件和一个开漏PWRGD信号
依然保持尺寸最小的热插拔媲美
其他地方的控制器。为了完成这个外部
MOSFET可以与门的输出一起使用。
简单地使用尺寸，使得一个高阻抗分压器（ 10MΩ ）的
开漏PWRGD MOSFET的阈值才会达到
一旦上述的HV100 / HV101的栅极电压上升以及
通过外部MOSFET通所需的电流限制值
装置。可选择地，栅极输出之间的齐纳二极管和
PWRGD上MOSFET的栅极设定为电压比更高
最大导通元件的Vt也将正常工作。
浪涌可从下式计算：
I
突（ PEAK ）
= (C
国际空间站
/ C
RSS
） * 2.5e3 * C
负载
这是一个令人惊讶的结果是一致的，因为对于大多数的MOSFET
特定类型C的比值的
国际空间站
/ C
RSS
是相对恒定的
（虽然从剧情预告，有一些变化）甚至
而这些绝对值和其它数量的不同而不同。
在此基础上，所述浪涌电流而变化，主要用C
负载
.
这使得设计与HV100 / HV101特别容易
因为一旦导通元件被选择，该周期是固定的，并
浪涌用C变化
负载
只。
HV100
PWGRD
02年8月26日rev.3b
©2002 Supertex公司保留所有权利。未经授权擅自使用或复制禁止的。
5
1235年波尔多驱动，桑尼维尔， CA 94089
电话： （ 408 ） 744-0100 •传真： （ 408 ） 222-4895
www.supertex.com
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
