HV100/HV101
应用信息
打开钳
利用MOSFET作为导通元件热插拔控制器的所有
包括从V电容分压器
PP
到V
NN
到C
负载
, C
RSS
和C
GS
。在最具竞争力的解决方案，一个大的外部电容
被添加到传输元件的栅极，以限制电压上
门从这个分频器产生。在这些情况下，如果一个栅极
电容器不使用内部电路是不可用的
挡住门，因此电压输入快速上涨将
导致打开的瞬间导通元件。这使得
电流尖峰通过在MOSFET 。
在HV100和HV101包括一个内置的夹子，以确保
这个杂散电流毛刺不会发生。内置
钳适用于大多数的机械时间常数
连接器。可能有一些应用，但是，有
上升时间，比在1μs （ 100的NS ）的要少得多。在这些
情况下，可能需要从添加的电容器
MOSFET的栅极至源极钳位栅极和抑制
这个电流尖峰。在这些情况下，电流尖峰通常
含有非常少的能量，并且不造成损坏，甚至
如果电容器没有使用在门口。
短路保护
在HV100和HV101被关断模式提供短路保护
挺下来，如果用热交换相关的米勒效应不
发生。具体来说，如果在输出短路时则栅极将
上涨而不出现一个“扁平的反应” 。由于这样的事实，我们
已恢复正常的热交换期间通过任何元素，
定时器可被用来检测是否在栅极电压上升到高于
在该时间内的阈值，表示有一个短的存在。该
下图显示了一个典型的导通顺序与负载
短路，造成4A的峰值电流。
自动适应操作
在HV100和HV101自动适应机制提供了一个
重要的功能。它规范了热交换期间，无论
中通元件或负载电容一致的热交换效果。
通过这样做，它允许新的短路机制，以
因为工作的机制需要一个已知的时间基准。
在此期间可能出现的最大电流可以
通过增加串联的源极的电阻器来控制
在MOSFET 。下图显示了相同的电路与
一个电阻为100mΩ源和V之间插入
NN
。在这
情况下的最大电流要小25％。
上图说明了自动的有效性
适应机制。在本实施例3的MOSFET与昼夜温差
同的ç
国际空间站
和R
DSON
值被使用。顶部波形是
该热插拔电流，而底部波形是栅极
电压。如可以看到的，所述热交换周期被归一化，
栅极电压的初始斜率近似为2.5V / ms的
无论在MOSFET ，总热交换期间和
峰值电流的MOSFET类型依赖的函数
常乘用C
负载
.
典型地，如果使用相同类型的晶体管，所述热交换
结果将是非常一致的。如果不同类型的使用
他们通常会表现出的变化最小。
5
对于大多数应用，并通过元件时， HV100和
HV101提供了足够的最大电流，以限制
防止，而无需任何外部元件损坏。
在2.5秒的延迟的自动重试电路的规定时间为
通过元素的尝试之间冷却。
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