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DN3765K4-G 参数 Datasheet PDF下载

DN3765K4-G图片预览
型号: DN3765K4-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS FET [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲PC
文件页数/大小: 3 页 / 456 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN3765
热特性
TO-252
( D- PAK )
I
D
(连续)
(1)
(A)
I
D
(脉冲的)
(A)
功耗
(2)
@T
A
= 25
O
C
(W)
θ
jc
(
O
C / W )
θ
ja
(
O
C / W )
I
DR(1)
(A)
I
DRM
(A)
0.30
0.50
2.5
6.25
50
0.30
0.50
注意事项:
(1) I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
150
O
C.
( 2 )装上FR4板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。
电气特性
(T
符号
BV
DSX
V
GS ( OFF )
I
GSS
I
D(关闭)
I
DSS
R
DS ( ON)
ΔR
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
参数
A
= 25
O
C除非另有规定编)
650
-1.5
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
800
最大
-
-3.5
4.5
100
10
1.0
-
8.0
1.1
-
825
190
110
50
75
75
100
1.8
-
单位
V
V
nA
µA
mA
mA
Ω
%/
O
C
条件
V
GS
= -5.0V ,我
D
= 100µA
V
DS
= 25V ,我
D
= 10µA
V
GS
= ± 20V, V
DS
= 0V
V
GS
= -10V, V
DS
=最大额定值
V
GS
= -10V, V
DS
= 0.8最大额定值,
T
A
= 125°C
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V
V
GS
= 0V时,我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时,我
D
= 150毫安
V
GS
= -10V,
V
DS
= 25V,
F = 1.0MHz的
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安,
R
= 25Ω
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
门体漏电流
漏极至源极漏电流
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源极导通电阻
变化在研发
DS ( ON)
随温度
转发Transductance
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
ΔV
GS ( OFF )
改变V
GS ( OFF )
随温度
毫伏/
O
(C V)
DS
= 25V ,我
D
= 10µA
-
200
-
-
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
mmho我
D
= 100mA时V
DS
= 10V
pF
ns
V
ns
V
GS
= -5.0V ,我
SD
= 200毫安
V
GS
= -5.0V ,我
SD
= 200毫安
注意事项:
(1)所有的直流参数的100% ,在25测试
O
C除非另有说明。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
(2)所有交流参数样品进行测试。
开关波形和测试电路
0V
V
DD
90%
输入
-10V
10%
t
(上)
脉冲
发电机
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
R
L
产量
R
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2