DN3545
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS FET
特点
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高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
这些耗尽模式（常开）晶体管采用一
先进的垂直DMOS结构和Supertex公司的良好
公认的硅栅的制造工艺。这种组合
生产用的设备的功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和
正温度COEF网络cient固有的MOS器件。
所有MOS结构的特征，这些设备都是免费的
从热失控和热诱导的二次
击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适合于
种类繁多的开关和放大的应用场合
高击穿电压，高输入阻抗，低输入
电容，和快速的开关速度是期望的。
应用
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常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
封装选项
D
S摹ð
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
G
D
S
TO-92
（前视图）
TO-243AA
（ TOP VIEW ）
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
450V
R
DS （ ON）
（最大）
（分钟）
I
DSS
封装选项
TO-92
DN3545N3
TO- 243AA （ SOT- 89 ）
DN3545N8
DN3545N8-G
20Ω
200mA
DN3545N3-G
-G表示封装，符合RoHS标准（ “绿色” ）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
