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    DN3525N8 参数 Datasheet PDF下载

    DN3525N8图片预览
    型号： DN3525N8
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 5 页 / 462 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号DN3525N8的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DN3525N8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DN3525N8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DN3525N8的Datasheet PDF文件第5页  
    DN3525
    典型性能曲线
    1.2
    I
    D
    = 100A
    V
    GS
    = -5V
    （续）
    导通电阻与漏极电流
    25
    T
    J
    = 25 C
    20
    O
    BV
    DSV
    随温度的变化
    BV
    DSV
    （归一化）
    R
    DS （ ON）
    （欧姆）
    1.1
    V
    GS
    = 0V
    15
    1.0
    10
    0.9
    5
    0.8
    -50
    0
    50
    100
    150
    0
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    ( C)
    O
    I
    D
    （安培）
    V
    GS （ OFF ）
    和R
    DS （ ON）
    W /温度
    1.3
    2.4
    2.2
    V
    GS （ OFF ）
    @ 1mA时， 15V
    2.0
    1.8
    1.6
    1.4
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    -50
    -25
    0
    25
    50
    75
    100
    125 150
    O
    传输特性
    2000
    V
    DS
    = 10V
    1600
    T
    A
    = -55 C
    1.2
    V
    GS （ OFF ）
    （归一化）
    I
    D
    （毫安）
    1.1
    1.0
    0.9
    0.8
    0.7
    0.6
    0.5
    T
    A
    = 25 C
    1200
    O
    T
    A
    = 125 C
    800
    O
    R
    DS （ ON）
    @ 0V ， 200毫安
    400
    0
    -3
    -2
    -1
    0
    1
    2
    0.4
    V
    GS
    （伏）
    电容与漏源电压
    350
    V
    GS
    = -5V
    300
    T
    J
    ( C)
    O
    栅极驱动器的动态特性
    3
    I
    D
    = 200毫安
    2
    1
    V
    DS
    =30V
    C（皮法）
    250
    V
    GS
    （伏）
    0
    -1
    -2
    -3
    200
    150
    C
    国际空间站
    100
    50
    C
    RSS
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    C
    OSS
    -4
    -5
    0
    1000
    2000
    3000
    4000
    5000
    V
    DS
    （伏）
    Q
    G
    （ picocoulombs ）
    4
    R
    DS （ ON）
    （归一化）

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