DN3145
初始版本
N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管
特点
❏
高输入阻抗
❏
低输入电容
❏
快速开关速度
❏
低导通电阻
❏
无二次击穿
❏
低输入和输出泄漏
先进的DMOS技术
这些耗尽模式(常开)晶体管利用一个AD-
vanced垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的
硅栅的制造工艺。这种结合产生
与双极晶体管的功率处理能力的设备
器和具有高输入阻抗和正温度
系数固有的MOS器件。所有MOS特性
结构,这些设备是无热失控和
热诱导的二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
❏
常通开关
❏
固态继电器
❏
转换器
❏
恒流源
❏
电源电路
❏
电信
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
TO-243AA
(SOT-89)
G
D
S
D
注意:
参考尺寸封装外形部分。
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
450V
*
同SOT- 89 。
R
DS ( ON)
(最大)
60Ω
I
DSS
(分钟)
120mA
订单号码/套餐
TO-243AA*
DN3145N8
产品标识为TO- 243AA :
DN1M❋
哪里
❋
= 2个星期的α-日期代码
产品发货2000件载带卷盘。
08/22/02
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1
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