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DN3135 参数 Datasheet PDF下载

DN3135图片预览
型号: DN3135
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 445 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
 浏览型号DN3135的Datasheet PDF文件第2页  
DN3135
DN3135
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
350V
*
R
DS ( ON)
(最大)
35Ω
I
DSS
(分钟)
180mA
订单号码/套餐
TO-236AB**
DN3135K1
TO-243AA*
DN3135N8
死***
DN3135NW
同SOT- 89 。产品发货2000件载带卷盘。
产品标识为TO- 243AA :
产品标识为SOT- 23 :
**同SOT- 23 。产品跳过对3000件carreir磁带卷轴。
***死在晶圆形式。
DN1S*
N1S*
其中* = 2星期阿尔法日期代码
特点
高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
其中* = 2星期阿尔法日期代码
先进的DMOS技术
这些低阈耗尽模式(常开)晶体管
采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。该组合
化生产设备与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和位置
略去温度系数固有的MOS器件。 Character-
所有的MOS结构的信息研究所,这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压,高输入阻抗,低输入电容,并快速
开关速度是期望的。
应用
常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电源电路
电信
封装选项
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
焊接温度*
*
1.6毫米的情况下10秒的距离。
10/23/00
D
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
300°C
注:请参阅尺寸封装外形部分。
G
来源
D
S
TO-236AB
(SOT-23)
顶视图
TO-243AA
(SOT-89)
Supertex公司公司不建议使用其产品在生命支持应用程序除非收到足够的"products责任将不会有意地销售其产品用于此类应用
agreement." Supertex公司赔偿保险不承担设备使用说明的责任,并限制其更换设备来确定赔偿责任是有缺陷的,由于
做工。没有责任承担可能的遗漏或不准确。电路和规格如有变更,恕不另行通知。有关最新的产品规格,请参阅
Supertex公司网站: http://www.supertex.com 。有关Supertex公司所有产品完全责任的信息,请参阅最新的数据手册或向Supertex公司网站上的法律/免责声明页面。
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