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DN3135K1-G 参数 Datasheet PDF下载

DN3135K1-G图片预览
型号: DN3135K1-G
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 453 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN3135
热特性
TO-236AB
TO-243AA
I
D
(连续)
1
720mA
135mA
I
D
(脉冲的)
300mA
300mA
功耗
@T
A
= 25
O
C
0.36W
1.3W
2
Θ
jc
(
O
C / W )
200
34
Θ
ja
(
O
C / W )
350
97
2
I
DR1
72mA
135mA
I
DRM
300mA
300mA
注意事项:
1. I
D
(续)由最大限制额定牛逼
j
.
2.安装在FR4板, 25毫米x 25mm的X 1.57毫米。显着的P
D
增加可能在陶瓷基板。
电气特性
符号
参数
典型值
最大
单位
条件
BV
DSX
V
GS ( OFF )
ΔV
GS ( OFF )
I
GSS
I
D(关闭)
I
DSS
R
DS ( ON)
ΔR
DS ( ON)
G
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
t
rr
漏极至源极击穿电压
栅 - 源电压OFF
改变V
GS ( OFF )
随温度
门体漏电流
漏极至源极漏电流
饱和漏极至源极电流
静态漏 - 源极导通状态
阻力
变化在研发
DS ( ON)
随温度
正向跨导
输入电容
共源输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向压降
反向恢复时间
350
-1.5
-
-
-
-
180
-
-
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
60
6.0
1.0
-
-
-
-
-
800
-
-3.5
4.5
100
1.0
1.0
-
35
1.1
-
120
15
10
10
15
15
20
1.8
-
V
V
毫伏/
O
C
nA
µA
mA
mA
Ω
%/
O
C
mmho
pF
V
GS
= -5.0V ,我
D
= 100µA
V
DS
= 15V ,我
D
= 10µA
V
DS
= 15V ,我
D
= 10µA
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
DS
=最大额定值,V
GS
= -5.0V
V
DS
= 0.8最大额定值,
V
GS
= -5.0V ,T
A
= 125
O
C
V
GS
= 0V, V
DS
= 15V
V
GS
= 0V时,我
D
= 150毫安
V
GS
= 0V时,我
D
= 150毫安
V
DS
= 10V ,我
D
= 100毫安
V
GS
= -5.0V,
V
DS
= 25V,
F = 1MHz的
V
DD
= 25V,
I
D
= 150毫安,
R
= 25Ω,
V
GS
= 0V至-10V
V
GS
= -5.0V ,我
SD
= 150毫安
V
GS
= -5.0V ,我
SD
= 150毫安
ns
V
ns
注意事项:
1.全直流参数100%测试25
O
C除非另有说明。 (脉冲测试: 300μS脉冲, 2 %的占空比)。
2.所有参数交流采样测试。
开关波形和测试电路
V
DD
0V
90%
输入
-10V
10%
t
(上)
脉冲
发电机
t
(关闭)
t
r
t
D(关闭)
t
F
R
L
产量
R
t
D(上)
V
DD
10%
10%
输入
D.U.T.
产量
0V
90%
90%
2