DN3125
N沟道耗尽型模式
垂直的DMOS场效应管
订购信息
BV
DSX
/
BV
DGX
250V
*
死在晶圆形式。
R
DS （ ON）
（最大）
20Ω
I
DSS
（分钟）
200mA
订单号码/套餐
死*
DN3125NW
特点
❏
高输入阻抗
❏
低输入电容
❏
快速开关速度
❏
低导通电阻
❏
无二次击穿
❏
低输入和输出泄漏
先进的DMOS技术
这些低阈耗尽模式（常开）晶体管
采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司
成熟的硅栅的制造工艺。该组合
化生产设备与功率处理能力
双极晶体管和具有高输入阻抗和位置
略去温度系数固有的MOS器件。 Character-
所有的MOS结构的信息研究所，这些设备是无热
失控和热致二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛
开关和放大应用的高击穿
电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速
开关速度是期望的。
应用
❏
常通开关
❏
固态继电器
❏
转换器
❏
线性放大器器
❏
恒流源
❏
电源电路
❏
电信
绝对最大额定值
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储温度
BV
DSX
BV
DGX
±
20V
-55 ° C至+ 150°C
12/13/01
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1
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