DN2640N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DN2640N3
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内容描述：	N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
文件页数/大小：	2 页 / 43 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

TE -

唯一

- OB

N沟道耗尽型模式

垂直的DMOS场效应管

订购信息

DSX

DGX

400V

DS （ ON）

（最大）

6.0Ω

DSS

（分钟）

300mA

订单号码/套餐

TO-92

DN2640N3

DIE

DN2640ND

DN2640

初步

特点

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

无二次击穿

低输入和输出泄漏

先进的DMOS技术

这些耗尽模式（常开）晶体管利用一个AD-

vanced垂直DMOS结构和Supertex公司的成熟的

硅栅的制造工艺。这种结合产生

与双极晶体管的功率处理能力的设备

器和具有高输入阻抗和正温度

系数固有的MOS器件。所有MOS特性

结构，这些设备是无热失控和

热诱导的二次击穿。

Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛

开关和放大应用的高击穿

电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速

开关速度是期望的。

应用

常通开关

固态继电器

转换器

线性放大器器

恒流源

电源电路

电信

封装选项

绝对最大额定值

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储温度

焊接温度*

1.6毫米的情况下10秒的距离。

DSX

DGX

20V

-55 ° C至+ 150°C

300°C

SGD

TO-92

注意：

参考尺寸封装外形部分。

8-13

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