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DN2624ND 参数 Datasheet PDF下载

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型号: DN2624ND
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内容描述: N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关输入元件
文件页数/大小: 4 页 / 54 K
品牌: SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
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DN2624
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
TE -
唯一
- OB
10
8
V
GS
= 0V
导通电阻与漏电流
BV
DSS
(归一化)
V
GS
= -3.5V
R
DS ( ON)
(欧姆)
-50
0
50
100
150
6
1.0
4
2
0.9
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
J
(°C)
传输特性
1.0
T
A
= -55°C
0.8
V
DS
= 10V
T
A
= 25°C
0.6
T
A
= 125°C
1.6
I
D
(安培)
V
( TH )
和R
DS
随温度的变化
2.0
RDS ( ON) @
VGS = 0V ,ID = 200毫安
1.6
8
V
GS ( TH)
(归一化)
I
D
(安培)
1.4
1.2
1.2
0.8
1.0
VGS (OFF) @
VDS = 25V ,ID = 10μA
0.8
0.4
0.4
0.2
0
-3
-2
-1
0
1
2
-50
0
50
100
150
0
V
GS
(伏)
电容与漏 - 源极电压
800
V
GS
= -10V
C
国际空间站
600
2
4
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
C(皮法)
V
GS
(伏)
0
VDS = 25V
ID = 30毫安
400
700pF
-2
200
-4
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
-6
0
1
2
3
4
5
620pf
V
DS
(伏)
Q
C
( nanocoulombs )
8-11
R
DS ( ON)
(归一化)