DN2624N3 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DN2624N3
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道耗尽型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs]
分类和应用：	晶体小信号场效应晶体管开关
文件页数/大小：	4 页 / 54 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

N沟道耗尽型模式

垂直的DMOS场效应管

订购信息

DSX

DGX

240V

DS （ ON）

（最大）

4.0Ω

DSS

（分钟）

600mA

订单号码/套餐

TO-92

DN2624N3

DIE

DN2624ND

E–

–O

DN2624

特点

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

无二次击穿

低输入和输出泄漏

先进的DMOS技术

这些低阈耗尽模式（常开）晶体管

采用了先进的垂直DMOS结构和Supertex公司

成熟的硅栅的制造工艺。该组合

化生产设备与功率处理能力

双极晶体管和具有高输入阻抗和位置

略去温度系数固有的MOS器件。 Character-

所有的MOS结构的信息研究所，这些设备是无热

失控和热致二次击穿。

Supertex公司的垂直DMOS场效应管非常适用于范围广泛

开关和放大应用的高击穿

电压，高输入阻抗，低输入电容，并快速

开关速度是期望的。

应用

常通开关

固态继电器

转换器

线性放大器器

恒流源

电源电路

电信

封装选项

绝对最大额定值

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储温度

焊接温度*

1.6毫米的情况下10秒的距离。

DSX

DGX

20V

-55 ° C至+ 150°C

300°C

SGD

TO-92

注意：

参考尺寸封装外形部分。

8-9

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案