DN2535/DN2540
典型性能曲线
BV
DSS
随温度的变化
1.1
100
导通电阻与漏电流
1.05
V
GS
= -5V
80
V
GS
= 0V
BV
DSS
归
1.0
R
DS （ ON）
（欧姆）
-50
0
50
100
150
60
0.95
40
0.9
20
0
0
80
160
240
320
400
T
j
(°C)
传输特性
0.40
2.5
I
D
（毫安）
V
GS （ OFF ）
和R
DS
随温度的变化
T
A
= -55°C
0.32
V
DS
= 10V
T
A
= 25°C
2
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
@ I
D
= 120毫安
归
0.24
T
A
= 125°C
1.5
0.16
1
V
GS （ OFF ）
@ 10µA
0.08
0.5
0
-3
2
-1
0
1
2
0
-50
0
50
100
150
V
GS
（伏）
电容与漏 - 源极电压
200
T
j
(°C)
栅极驱动器的动态特性
15
C
国际空间站
150
C（皮法）
10
V
GS
（伏）
200pF
5
100
V
GS
= -10V
V
DS
= 20V
0
50
V
DS
= 40V
C
RSS
0
0
10
20
30
C
OSS
40
-5
170pF
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
（伏）
Q
C
（ nanocoulombs ）
12/13/010
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4
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