DN2470
N沟道耗尽型垂直DMOS FET
特点
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高输入阻抗
低输入电容
快速开关速度
低导通电阻
无二次击穿
低输入和输出泄漏
概述
该DN2470是一个低阈值耗尽模式（常开）
晶体管采用了先进的垂直DMOS结构，
Supertex公司的成熟的硅栅制造工艺。
这种结合产生了一种装置，具有功率处理
双极晶体管和具有高的输入能力
阻抗和正温度COEF网络cient固有
在MOS器件。所有MOS结构的特点，
设备是无热失控和热致
二次击穿。
Supertex公司的垂直DMOS FET非常适合宽
各种开关和放大应用中非常
低阈值电压，高的击穿电压，高输入
阻抗，低输入电容，和快速的开关速度
是期望的。
应用
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常通开关
固态继电器
转换器
线性放大器器
恒流源
电池供电系统
电信
订购信息
BV
DSX
/ BV
DGX
700V
R
DS （ ON）
（最大）
42Ω
I
DSS
（分钟）
500mA
封装选项
TO- 252 （ D-白）
DN2470K4-G
绝对最大额定值
参数
漏极至源极电压
漏极至栅极电压
栅极 - 源极电压
工作和存储
温度
焊接温度*
价值
BV
DSX
BV
DGX
±20V
-55
O
C至+150
O
C
300
O
C
封装选项
漏
绝对最大额定值是那些价值超过该设备损坏
可能会发生。在这些条件下的功能操作，是不是暗示。连续
该设备在绝对额定值级的操作可能会影响器件的可靠性。所有
电压参考器件接地。
*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。
门
来源
TO- 252 （ D-白）
（ TOP VIEW ）
SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
