DN2470K4-G 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DN2470K4-G
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内容描述：	N沟道耗尽 - 型垂直DMOS FET [N-CHANNEL DEPLETION - MODE VERTICAL DMOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	2 页 / 135 K
品牌：	SUPERTEX [ Supertex, Inc ]

DN2470

初始版本

N沟道耗尽型模式

垂直的DMOS FET

特点

高输入阻抗

低输入电容

快速开关速度

低导通电阻

无二次击穿

低输入和输出泄漏

概述

这个低阈耗尽模式（常开）

晶体管采用了先进的垂直的DMOS

结构和Supertex公司的成熟的硅栅

制造工艺。这种结合产生了一种

器件与双极的功率处理能力

晶体管和具有高输入阻抗和

固有的MOS正温度系数

设备。所有MOS结构的特点，

设备不受热失控和thermally-

诱发二次击穿。

Supertex公司的垂直DMOS FET非常适合于

种类繁多的开关和放大的应用

那里非常低阈值电压，高击穿

电压，高输入阻抗，低输入电容，

和快速开关速度是需要的。

应用

常通开关

固态继电器

电池供电系统

转换器

线性放大器器

恒流源

电信

封装选项

绝对最大额定值

漏极至源极电压

漏极至栅极电压

栅极 - 源极电压

工作和存储

温度

焊接温度*

DSX

DGX

±20V

-55 ° C至+ 150°C

300°C

*为1.6mm的情况下， 10秒的距离。

** “绿色”认证包

订购信息

订单号码/套餐

TO-252

DN2470K4

DN2470K4 -G **

DSX

/ BV

DGX

700V

DS （ ON）

（最大）

42Ω

DSS

（典型值）

500mA

NR011905

第1版

011105

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