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    2N6660_07 参数 Datasheet PDF下载

    2N6660_07图片预览
    型号： 2N6660_07
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道增强型垂直DMOS场效应管 [N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 3 页 / 396 K
    品牌： SUPERTEX [ Supertex, Inc ]
     浏览型号2N6660_07的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N6660_07的Datasheet PDF文件第3页  
    2N6660/2N6661
    电气特性
    (T
    符号
    参数
    C
    = 25 ° C除非另有规定编）
    民
    典型值
    最大
    单位
    条件
    BV
    DSS
    V
    GS （ TH）
    ΔV
    GS （ TH）
    I
    GSS
    I
    DSS
    I
    D（上）
    R
    DS （ ON）
    G
    FS
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    （上）
    t
    （关闭）
    V
    SD
    t
    rr
    漏极至源极突破性
    电压下降
    栅极阈值电压
    2N6660
    2N6661
    60
    90
    0.8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -3.8
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.2
    350
    -
    -
    2.0
    -5.5
    100
    10
    500
    -
    5.0
    3.0
    4.0
    -
    50
    40
    10
    10
    10
    -
    -
    V
    V
    毫伏/
    O
    C
    nA
    µA
    A
    Ω
    mmho
    pF
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = 10µA
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1.0毫安
    V
    GS
    = V
    DS
    , I
    D
    = 1.0毫安
    V
    GS
    = ±20V, V
    DS
    = 0V
    V
    GS
    = 0V, V
    DS
    =最大额定值
    V
    DS
    = 0.8最大额定值，
    V
    GS
    = 0V ，T
    A
    = 125
    O
    C
    V
    GS
    = 10V, V
    DS
    = 10V
    V
    GS
    = 5.0V ，我
    D
    = 0.3A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 1.0A
    V
    DS
    = 25V ，我
    D
    = 0.5A
    V
    GS
    = 0V,
    V
    DS
    = 24V,
    F = 1.0MHz的
    V
    DD
    = 25V ，我
    D
    = 1.0A,
    R
    根
    = 25Ω
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 1.0A
    V
    GS
    = 0V时，我
    SD
    = 1.0A
    V
    GS （ TH）
    随温度的变化
    门体漏电流
    零栅极电压漏极电流
    通态漏电流
    所有
    静态漏 - 源
    导通状态电阻
    正向跨导
    输入电容
    共源输出电容
    反向传输电容
    开启时间
    打开-O FF时间
    二极管的正向压降
    反向恢复时间
    2N6660
    2N6661
    -
    1.5
    -
    -
    -
    170
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ns
    V
    ns
    注意事项：
    1.全直流参数100％测试25
    O
    C除非另有说明。 （脉冲测试： 300μS脉冲， 2 ％的占空比）。
    2.所有参数交流采样测试。
    热特性
    设备
    2N6660
    2N6661
    包
    TO-39
    TO-39
    I
    D
    （连续）
    *
    （MA ）
    410
    350
    I
    D
    （脉冲的）
    (A)
    3.0
    3.0
    功耗
    @T
    C
    = 25
    O
    C
    (W)
    6.25
    6.25
    θ
    jc
    O
    （ C / W ）
    20
    20
    θ
    ja
    O
    （ C / W ）
    125
    125
    I
    DR
    *
    （MA ）
    410
    350
    I
    DRM
    (A)
    3.0
    3.0
    注意事项：
    * I
    D
    （续）由最大限制额定牛逼
    J
    .
    开关波形和测试电路
    10V
    V
    DD
    R
    L
    产量
    90%
    输入
    0V
    10%
    t
    （上）
    脉冲
    发电机
    t
    （关闭）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    F
    R
    根
    t
    D（上）
    V
    DD
    10%
    10%
    输入
    D.U.T.
    产量
    0V
    90%
    90%
    2

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