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X0105DN 参数 Datasheet PDF下载

X0105DN图片预览
型号: X0105DN
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内容描述: 敏感栅硅控整流器 [Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifier]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 79 K
品牌: SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
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X0105DN
热特性
特征
热阻 - 结到管壳
- 结到环境
无铅焊锡温度
( T1 / 16 “的情况下, 10秒最大)
符号
R
θJC
R
θJA
T
L
最大
75
200
260
单位
° C / W
°C
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
峰值重复正向或
反向电流阻断(注1 )
(V
D
=额定V
DRM
和V
RRM
; R
GK
= 1.0 kΩ)
I
DRM
, I
RRM
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
10
0.1
µA
mA
基本特征
正向峰值通态电压
(*)
(I
TM
= 1.0安培峰值@ T
A
= 25°C)
门极触发电流(连续DC) (注2 )
(V
AK
= 12 V ,R
L
= 100欧姆)
保持电流(注2 )
(V
AK
= 12 V,I
GT
= 0.5 mA)的
闩锁电流
(V
AK
= 12 V,I
GT
= 0.5毫安,R
GK
= 1.0 k)
门极触发电压(连续DC ) (注2 )
(V
AK
= 12 V ,R
L
= 100欧姆,我
GT
= 10 mA)的
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= –40°C
T
C
= 25°C
T
C
= –40°C
T
C
= 25°C
T
C
= –40°C
V
TM
I
GT
I
H
I
L
V
GT
8
0.5
0.6
0.62
1.7
20
5.0
10
10
15
0.8
1.2
µA
mA
mA
动态特性
断态电压临界上升率
(V
D
=额定V
DRM
,指数波形,R
GK
= 1000欧姆,
T
J
= 110°C)
通态电流临界上升率
(I
PK
= 20 A; PW = 10
微秒;
DIG / DT = 1.0 A /微秒,糖耐量低减= 20 mA)的
*表示脉冲测试:脉冲宽度
1.0毫秒,占空比
1%.
1. R
GK
包括测量= 1000欧姆。
2.不包含R
GK
测量。
dv / dt的
20
35
V / μs的
的di / dt
50
A / μs的
2