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    STC2907A 参数 Datasheet PDF下载

    STC2907A图片预览
    型号： STC2907A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP硅晶体管 [PNP Silicon Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 59 K
    品牌： SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
     浏览型号STC2907A的Datasheet PDF文件第2页  
    STC2907A
    PNP硅晶体管
    通用晶体管
    •集电极 - 发射极电压： V
    首席执行官
    = 60V
    •集电极耗散功率：P
    C
    (max)=625mW
    1
    TO-92
    1. 2.发射基地3.收藏家
    PNP外延硅晶体管
    绝对最大额定值
    T
    a
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -60
    -60
    -5
    -600
    625
    150
    -55 ~ 150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    °C
    °C
    电气特性
    T
    a
    = 25 ° C除非另有说明
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    *集电极发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    直流电流增益
    测试条件
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -50V ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -0.1mA ，V
    CE
    = -10V
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -1mA ，
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ， * I
    C
    = -150mA
    V
    CE
    = -10V ， * I
    C
    = -500mA
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    = -15mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    I
    C
    = -150mA ，我
    B
    = -15mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    =0
    f=1MHz
    I
    C
    = -50mA ，V
    CE
    = -20V
    f=100MHz
    V
    CC
    = -30V ，我
    C
    = -150mA
    I
    B1
    = -15mA
    V
    CC
    = -6V ，我
    C
    = -150mA
    I
    B1
    =I
    B2
    = -15mA
    200
    45
    100
    75
    100
    100
    100
    50
    分钟。
    -60
    -60
    -5
    -10
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    V
    V
    nA
    300
    -0.4
    -1.6
    -1.3
    -2.6
    8
    V
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    ns
    ns
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    C
    ob
    f
    T
    t
    ON
    t
    关闭
    *集电极 - 发射极饱和电压
    基极发射极饱和电压
    输出电容
    *电流增益带宽积
    启动时间
    关闭时间
    *脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％

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