ST1N60
P
OWER
MOSFET
订购信息
产品型号
包
.................ST1N60-251...........................................TO-251
.................ST1N60-252...........................................TO-252
电气特性
除非另有规定，T
J
= 25
.
CST1N60
特征
漏源击穿电压
(V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A)
漏极 - 源极漏电流
(V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V)
(V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 )
门源漏电流，正向
(V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V)
门源漏电流，反向
(V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A)
静态漏源导通电阻（V
GS
= 10 V，I
D
= 0.6A) *
正向跨导（V
DS
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
50 V，I
D
= 0.5A) *
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0兆赫）
(V
DD
= 300 V，I
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10 V,
R
G
= 18 ) *
(V
DS
= 400 V，I
D
= 1.0 A,
V
GS
= 10 V)*
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
0.1
0.3
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
0.5
210
28
4.2
8
21
18
24
8.5
1.8
4
4.5
7.5
14
2.0
100
100
4.0
8.0
姆欧
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nH
nH
nA
nA
V
民
600
典型值
最大
单位
V
mA
内部排水电感
（从漏测铅0.25“从包到模具的中心）
内部排水电感
（测量从源铅0.25 “从包装到源焊盘）
源极 - 漏极二极管的特性
正向导通电压（ 1）
向前开启时间
反向恢复时间
(I
S
= 1.0 A，V
GS
= 0 V,
d
IS
/d
t
= 100A / μs）内
V
SD
t
on
t
rr
**
350
1.5
500
V
ns
ns
*脉冲测试：脉冲宽度300μS ，占空比
**忽略不计，占主导地位的电路中电感
2%
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SUNTAC [ SUNTAC ELECTRONIC CORP. ]
